产品描述
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管采用了一种全新的技术，与硅相比，这种技术具有更好的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统优势包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
● 低寄生电容，可实现高速开关
● 使用标准栅极驱动器，驱动简单
●每一颗都经过100%雪崩耐量测试
● 最大结温 150°C
● 满足ROHS标准
应用
●电动汽车充电机
●DC-AC转换器
● 高电压DC/DC电源
● 开关电源
● 功率因子校正
● 马达驱动
包装信息
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产品型号 |
打标 |
封装形式 |
包装 |
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TX4S01000330M |
TX4S01000330M |
TO-247-4L |
Tube管装 |
绝对最大额定值(Tc=25℃)
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电气符号 |
参数描述 |
数值 |
单位 |
|
VDS |
漏源电压 |
3300 |
V |
|
ID |
漏极电流(持续) Tc=25℃ |
20 |
A |
|
ID |
漏极电流(持续) Tc=100℃ |
12 |
A |
|
IDM |
漏极电流(脉冲) |
40 |
A |
|
VGS |
栅源电压 |
-10/+25 |
V |
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PD |
最大耗散功率TC= 25°C |
120 |
W |
|
TJ,Tstg |
工作结温和储存温度 |
-55 to +150 |
℃ |
电气参数(TJ = 25℃)
典型静态参数
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电气符号 |
参数描述 |
测试条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
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BVDS |
漏源击穿电压 |
ID=250uA,VGS=0V |
3300 |
|
|
V |
|
IDSS |
0栅压状态下的漏电流 |
VDS=3300V,VGS=0V, TJ=25°C |
|
|
100 |
uA |
|
IGSS |
栅极漏电流 |
VDS=0V ; VGS=-10 or 20V |
|
|
250 |
nA |
|
VGS(th) |
开启电压 |
VDS= VGS,ID=5mA |
2 |
|
4 |
V |
|
RDS(on) |
静态导通电阻 |
VGS=20V, ID=10A |
|
200 |
250 |
mΩ |
|
RG |
栅极寄生电阻 |
VGS=0V,f=1MHz |
|
3 |
|
W |
典型动态参数
|
Ciss |
输入电容 |
VDS=800V,f=1000KHZ,VGS=0V |
|
600 |
|
pF |
|
Coss |
输出电容 |
|
50 |
|
pF |
|
|
Crss |
反向转移电容 |
|
8 |
|
pF |
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|
Qg |
栅极总电量 |
VDS=800V, ID=10A,VGS=0~20V
|
|
9 |
|
nC |
|
Qgs |
栅源电量 |
|
11 |
|
nC |
|
|
Qgd |
栅漏电量 |
|
30 |
|
nC |
|
|
td(on) |
开通延迟时间 |
VDD=800V,ID=10A, VGS=-0V~20V, RG=0Ω, |
|
7 |
|
ns |
|
tr |
上升时间 |
|
8 |
|
ns |
|
|
td(off) |
关断延迟时间 |
|
12 |
|
ns |
|
|
tf |
下降时间 |
|
13 |
|
ns |
寄生二极管典型参数
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电气符号 |
参数描述 |
测试条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
VFSD |
正向电压 |
VGS=0V,IF=10A,TJ=25°C |
3 |
|
6 |
V |
|
VGS=0V,IF=10A,TJ=150°C |
3 |
|
6 |
V |
||
|
trr |
反向恢复时间 |
VGS=0 V, IF=10 A, VR=800 V, di/dt=100 A/μs |
|
9 |
|
ns |
|
Qrr |
反向恢复电量 |
|
11 |
|
nC |
|
|
Irrm |
最大反向恢复电流 |
|
29 |
|
A |
热参数
|
电气符号 |
参数描述 |
数值 |
单位 |
|
RqJC |
芯片到外壳的热阻 |
0.3 |
°C/W |
|
RqJA |
芯片到外界环境的热阻 |
40 |
°C/W |
测试结果基于器件安装在大型散热器上最大结温为Tj(max)=150℃
封装外形尺寸图
尺寸（单位：mm）
